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" (178900)GSI技术以深度学习挑战DSP
GSI Technology推出基于深度学习的数字信号处理（DSP）解决方案，利用GSI APU提升频谱管理和监测算法，应用于商业和航空航天领域。该方案支持动态频谱共享和高效波束成形，适用于5G通信和航空航天及国防应用。技术包括深度学习和近邻分类，提供实时DSP应用所需的低延迟性能。
GSI Technology Product Listing
利用GSI技术将DSP推向极限SRAM应用笔记
本文介绍了GSI Technology的SRAM产品在数字信号处理器（DSP）应用中的优势。文章重点阐述了如何利用GSI的异步和同步SRAM满足高速计算需求，并针对Texas Instruments、Motorola和Analog Devices等厂商的DSP产品，提供了相应的SRAM选择和接口建议。此外，文章还提供了DSP与SRAM的交叉参考表，方便设计者选择合适的SRAM产品。
存储器热管理101
本文探讨了随着内存器件小型化、高速化和高功耗的发展趋势，热管理在元器件行业中的重要性日益增加。文章详细介绍了GSI Technology在热管理方面的应用，包括标准化热阻数据的使用、评估设备关键热参数的方法以及热参数与可靠性的关系。文章还解释了结温（TJ）的定义和用途，热阻的概念及其规格查找方法，主要热指标（θJA、θJC、θJB）的定义和计算，以及如何通过热阻和功耗预测结温。此外，文章还讨论了测量技术和热模拟软件选项，以及温度与可靠性的关系，包括高温工作寿命测试（HTOL）和长期可靠性测试。
低延迟DRAM（LLDRAM）类SRAM性能的DRAM容量产品手册
GSI Technology的LLDRAMs是一种高容量、低延迟的存储器，提供比普通DRAM更低的随机周期时间（tRC）和更短的突发DDR数据传输，适用于高速网络、图像处理等对随机事务率要求高、容量需求大的应用。LLDRAM II具有533 MHz DDR接口、8银行架构、15 ns tRC和单周期地址加载等特点，适用于不同I/O配置。GSI Technology成立于1995年，是高性能半导体存储解决方案的领先提供商。
非技术人员的周期和访问时间解释应用说明
本文档解释了同步静态随机存取存储器（SRAM）的周期时间和访问时间的概念，以及它们之间的关系。文章详细介绍了周期时间（时钟频率）和访问时间（读控制时钟到数据/输出有效的时钟）的定义和测量方法。此外，还提供了GSI Technology的GS84018/32/36T/B-180/166/150/100数据表的示例，说明了不同厂商如何标识SRAM的速度，并提供了不同厂商SRAM速度标识的比较表格。
就地关联计算：处理器设计中的一个新概念
本文介绍了GSI Technology公司开发的关联处理单元（APU）技术，这是一种新型的处理器设计概念。APU通过在内存阵列中直接进行计算，显著减少了数据移动的开销，从而提高了性能。文章首先分析了现有处理器设计的不足，然后详细介绍了APU的架构、软件栈以及性能优势，最后通过性能对比展示了APU在相似性搜索等应用中的优越性。
用GSI的通流模控制引脚设计应用说明
本文介绍了GSI Technology的Flow Through Mode Control Pin设计，该设计允许硬件设计师在流通过程和流水线同步SRAM之间进行选择。通过FT模式引脚（引脚14）控制数据输出寄存器的功能，低电平状态绕过数据输出寄存器，高电平或未连接状态激活数据输出寄存器，实现流水线模式。这种设计简化了库存管理和设计工作，提高了生产效率。
就地关联计算机：导论APU架构（Architecture）技术说明
本文介绍了GSI Technology的APU（关联处理单元）架构，这是一种新型的处理器，能够在内存阵列中直接进行计算，从而显著减少数据移动的开销。APU卡通过PCIe接口连接到服务器，由APU芯片、卡控制器和设备内存组成。APU芯片包含多个APUC（关联处理单元），每个APUC由SRAM和专利的位级处理元素组成。APU的架构允许并行执行基本操作，并通过SIMD（单指令多数据）技术实现高效的计算。文章详细描述了APU的内部和外部数据移动机制，以及内存组件和垂直和水平数据线。
AN1027就地计算：扩展到每秒1M相似性搜索
本文介绍了一种名为关联处理单元（APU）的专利技术，该技术通过在内存阵列中直接进行大规模并行数据处理、计算和搜索，改变了传统计算模式。APU将内存中的每个比特线转化为处理器，从而实现内存阵列的大规模并行处理。与传统方法相比，APU在性能和功耗方面具有显著优势，尤其在推荐系统和数据挖掘等应用中，APU提供了超过500倍的性能功耗比提升。文章详细介绍了APU的工作原理、架构特点以及在推荐系统和数据挖掘中的应用，并展示了APU在相似性搜索方面的性能优势。
tKCvar规范应用说明
本文介绍了tKCvar规范在SigmaQuad™ Type II/II+和SigmaDDR™ Type II/II+ SRAM中的应用，重点阐述了两个关键时钟性能要求。首先，阐述了RAM在单个时钟周期内完成一系列任务的重要性，以及时钟周期过短可能导致任务失败的风险。其次，讨论了时钟周期突然变化可能对RAM操作（如DLL锁定）产生的影响。文章还介绍了Tektronix® JIT3抖动评估包的使用，以及如何将JIT3术语转换为RAM规范，以便SigmaQuad和SigmaDDR SRAM用户更直观地使用该包。此外，文章详细解释了时钟周期和周期到周期变化的测量方法，并提供了tKCvar验证的示例。
MPC567xF接口GSI同步SRAM到飞思卡尔多路复用MPC567xF或PXR40xx微控制器
本文档介绍了如何将Freescale MPC567xF和PXR40xx微控制器与GSI同步突发SRAM进行接口连接。内容涵盖了16位和32位复用模式的接口连接、时序分析以及读写操作的详细说明。文档提供了时序图，帮助设计者理解接口配置和操作细节。
地址Pin标签不匹配应用说明
本文讨论了不同SRAM供应商的封装引脚配置差异，特别是地址引脚。虽然大多数SRAM供应商遵循JEDEC标准，但地址引脚的标记可能存在差异。文章通过一个简单的读写示例说明，尽管地址标记不同，但只要A0和A1引脚在同步突发应用中位置相同，SRAM与微处理器之间就不会存在兼容性问题。结论是，在交叉引用SRAM时，地址标记不匹配不应被视为不兼容的标志，除非是同步突发应用。
工作的正确工具：SyncBurst™ 和NBT™ SRAMs产品手册
GSI Technology的SyncBurst™和NoBusTurnaround™ SRAMs是中端数据采集设计的可靠选择，提供多种密度、封装和设计选项。这些SRAMs支持同步突发模式，具有简化接口，适用于网络、工业、汽车和医疗成像等领域。产品特点包括引脚兼容性、工业温度支持、多种封装选项，以及丰富的密度和频率选择。
性能不折不扣：SigmaQuad IIIe™ 还有Sigmadr IIIe™SRAMs产品手册
GSI Technology推出第三代SigmaQuad™和SigmaDDR™ SRAM，提供72Mb、144Mb和288Mb密度选项，最高运行频率达833 MHz，适用于数据包处理和图像处理等应用。SigmaQuad™支持单周期内传输4次数据，SigmaDDR™支持单周期内传输2次数据。产品特点包括高交易速率、高带宽、内置ECC、支持多种I/O接口，并提供免费内存控制器IP。
UltraScale和UltraScale+FPGA产品手册的前沿存储解决方案
GSI Technology为Xilinx UltraScale和UltraScale+ FPGA提供SigmaQuad-IIIe、SigmaDDR-IIIe和SigmaQuad-IVe SRAM的免费控制器IP。支持B2和B4突发模式，x18和x36 SRAM配置，无银行/地址限制，高达933 MHz。相比竞争方案，功耗更低，引脚更少，板空间更小。控制器IP采用“4:1 Mux”配置，读延迟约为15个FPGA用户接口时钟周期，已在KU040和KU13P评估板上验证，并得到多个客户的验证。
针对UltraScale和UltraScale+FPGA的尖端存储器解决方案
GSI Technology为Xilinx UltraScale和UltraScale+ FPGA提供SigmaQuad-IIIe、SigmaDDR-IIIe和SigmaQuad-IVe SRAM的免费控制器IP。支持B2和B4、x18和x36 SRAM配置，无银行/地址限制，高达933 MHz，降低功耗、引脚和板空间。控制器IP利用“4:1 Mux”配置，读延迟约为7个FPGA用户接口时钟周期。提供IP源代码、设计约束文件、用户指南和SRAM行为模型。
Xilinx 7系列FPGA的尖端存储器解决方案
GSI Technology为Xilinx 7系列FPGA提供SigmaQuad-II+和SigmaDDR-II+ SRAM的免费控制器IP。支持B2和B4版本，数据宽度为x18和x36。提供多种密度支持，最高频率可达500 MHz。控制器IP采用“4:1 Mux”配置，验证于7K325T评估板，适用于不同FPGA。提供IP源代码、设计约束文件、用户指南和SRAM行为模型。
GSI的ElasticSearch K-NN插件应用简介
GSI的Elasticsearch k-NN插件允许用户使用Elasticsearch的dense_vector类型执行最近邻向量相似度搜索。该插件提供了一种高性能、低延迟、低功耗的亿级向量相似度搜索解决方案，允许用户结合传统的Elasticsearch文本过滤器与向量搜索查询，实现更高级的搜索。插件支持多模态搜索，无需重新索引文档，并提供了简单、适用于生产的向量搜索架构。
大数据内存加速
本文探讨了GSI Technology开发的Gemini加速器，这是一种新型的处理器，旨在解决大数据分析中的内存瓶颈问题。Gemini通过将计算单元与内存集成在单个芯片上，实现了对大数据的高效处理。与传统处理器相比，Gemini在特定算法上的性能提升了100倍以上，同时功耗降低了70%。文章详细介绍了Gemini的技术原理、优势以及在实际应用中的表现，例如图像识别、分子识别和SHA哈希函数等。Gemini以其高内存带宽和强大的计算能力，在处理大数据分析任务时展现出显著优势。
部件号解码器—同步猝发/NBT
该资料详细介绍了元器件编号解码系统，包括同步突发/非突发存储器（Sync SRAM）的编号结构。编号包含产品线代码、I/O宽度/变体、温度等级、密度/产品系列、修订级别、电压变体、选项、封装、运输选项、定制选项、功能代码、速度等级等。编号中的每个部分都有其特定的含义和编码规则，用于识别和分类不同的元器件。
零件号解码器
该资料详细介绍了元器件编号解码系统，包括产品线代码、修订级别、定制选项、电压变化、非目录后装配选项、异步SRAM类型、密度/产品家族、封装、运输选项、选项、资格状态、非目录装配选项、速度等级、温度等级和I/O宽度/变化等信息。编号系统中的每个字符或符号都有其特定的含义，用于识别和分类不同的元器件。
GS82612DT37CE-350MS Rad-Hard SRAM 288Mb/144Mb/72Mb Burst of 4 SigmaQuad-II+TM
GS81302DT07E-450 144Mb SigmaQuad-II+TM Burst of 4 SRAM
GS82583ET18GK-675 288Mb SigmaDDR-IIIe™Burst of 2 SRAM
GS84018C 256K x 18, 128K x 32, 128K x 364Mb Sync Burst SRAMs
GS864018T-xxxV 4M x 18, 2M x 32, 2M x 3672Mb Sync Burst SRAMs
GS88037CT-xxxIV 256K x 369Mb Sync Burst SRAM
GS8160E18DGT-xxxV 1M x 18, 512K x 32, 512K x 3618Mb Sync Burst SRAMs
GS864418E-xxxV 4M x 18, 2M x 3672Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS88237CB-xxxV 256K x 369Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM
GS880F18C 512K x 18, 256K x 32, 256K x 369Mb Sync Burst SRAMs
GS8662xxxBGD封装材料组成及质量计算
本资料详细列出了GSI公司的一款GS8662xxxBGD型号器件的封装材料成分及质量计算。包括模具化合物、陶瓷、环氧树脂、酚醛树脂、基板、二氧化硅、丙烯酸、环氧树脂、双酚A、三唑、铜、镍、金、硅、粘合剂、橡胶改性环氧树脂、芳香胺、疏水性二氧化硅、基于硅的缩水甘油醚、4,4'-异丙叉双酚A、金线、外部镀层等成分的名称、组成、CAS编号、百分比、平均毫克数、总毫克数、百分比和PPM值。同时，资料还提供了该产品的总重量、是否符合RoHS标准等信息。
GS81302xxxGE封装材料组成及质量计算
本资料详细列出了GSI公司一款GS81302xxxGE型号器件的封装材料成分及质量计算。包括模具化合物、陶瓷、环氧树脂、酚醛树脂、基板、二氧化硅、丙烯酸、环氧树脂、双酚A、三唑、铜、镍、金、硅、粘合剂、橡胶改性环氧树脂、芳香胺、疏水性二氧化硅、基于硅的缩水甘油醚、4,4'-异丙叉双酚A、金线、外部镀层等成分的名称、组成、CAS编号、百分比、平均毫克数、总毫克数、百分比和PPM值。同时，资料还提供了该产品的RoHS合规性信息，确认产品不含汞、镉、铅、六价铬、多溴联苯和多溴联苯醚等有害物质。
GS88XXCD包装材料组成及质量计算
本资料详细列出了GSI公司的一款GS88xxxxCD型号器件的封装材料成分和质量计算。包括模具化合物、基板、粘合剂、金属和离子杂质等成分的具体含量和CAS编号。同时，资料还提供了该产品是否符合RoHS指令规定的六种有害物质的检测结果。
KE-G2250LKDS包装材料组成及质量计算
本资料详细列出了14x22 119L SNW LBGA封装的GS81284x\\xxB器件的封装材料成分和质量计算。包括底晶圆、间隔晶圆和顶晶圆的尺寸，总封装重量，以及各种材料成分的名称、组成、CAS编号、百分比、平均毫克数、总毫克数、百分比和PPM值。此外，还提供了离子杂质、外部镀层（焊球）和锡、铅含量的详细信息。资料最后声明了该材料声明的参考用途和免责声明。
GS4576C18GL日立电缆机密
本资料详细列出了GS4576C18GL/GS4576S18GL/GS4576C36GL系列元器件的组成材料，包括模具化合物、TAB带、铜箔、金、IR-G029、PSR4000、芯片、弹性体、焊球等，并提供了每种材料的化学成分、含量、重量百分比、PPM值等信息。
GS82582xxxE包装材料组成及质量计算
本资料详细列出了GSI公司生产的GS82582xxxE型号器件的封装材料成分和质量计算。包括模具化合物、基板、粘合剂、金属和离子杂质等成分的具体含量和CAS编号。同时，资料还提供了该产品是否符合RoHS（欧盟关于限制使用某些有害物质指令）标准的信息。
GS8642x72GC封装材料组成及质量计算
本资料详细列出了14x22 209L LBGA封装的GS8642x72GC器件的封装材料成分和质量计算。包括模具化合物、硅、碳黑、环氧树脂、酚醛树脂等成分的百分比、平均质量、总质量以及相关CAS编号。此外，还提供了基板、引线、外部镀层等材料的详细成分和质量信息。资料强调，上述材料声明仅作为识别产品中危险物质含量的参考，且所有数据和数值均为基于供应商提供的数据和/或数据范围的平均计算值。
CEL-9510HFL-U封装材料组成及质量计算
本资料详细列出了GSI公司GS832xxxxAGT型号器件的封装材料成分和质量计算。包括模具化合物、环氧树脂、硬化剂、碳黑、硅胶、铅框、铜、镍、硅、镁、银、硅片、芯片粘合剂、外部镀层等材料的成分、CAS编号、百分比、平均毫克数和PPM值。同时，资料还提供了该产品的总重量、是否符合RoHS标准等信息。
封装X-6 mm X 10 mm FP-BGA
本资料详细介绍了Package X，一款6mm x 10mm的FP-BGA封装。资料中包含了封装的尺寸规格、焊球位置和尺寸等信息。具体包括A1引脚的位置、焊球fb的尺寸范围、封装的各个尺寸参数如A、D、E等，以及封装的俯视图、侧视图和底视图。请注意，所列规格可能随时更改，最新文档请访问http://www.gsitechnology.com。
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